In order to satisfy the development of bulk silicon MEMS manufacturing process,the process parameters of ICP-RIE,especially the effect of platen power on the silicon dry etching,were intensively analyzed.
为满足体硅MEMS制造工艺进一步发展的需要,对电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺参数进行了深入分析,着重分析了平板功率对Si干法刻蚀的影响。
本网站所收集内容来自网友分享仅供参考，实际请以各学校实际公布信息为主！内容侵权及错误投诉：1553292129@qq.com
CopyRight © 2020-2024 优校网[www.youxiaow.com]版权所有 All Rights Reserved. ICP备案号：浙ICP备2024058711号