SOI substrate fabricated by silicon direct bonding (SDB) is one of the most important applications of SDB.
硅直接键合(SDB)技术用于制备SOI片(BESOI)是键合技术的最重要应用之一,研究了制备BESOI片中的键合和减薄问题,获得了大面积的均匀单晶硅膜,通过实验分析了这种方法获得的薄膜的平整度和影响因素。
The stress due to silicon direct bonding is studied using the spectrum.
用Raman谱研究了硅/硅直接键合工艺引入的应力,测试结果表明,高温键合后,硅片表面存在局部的张应力或压应力。